[发明专利]绝缘隐埋层中有带电区的衬底有效
| 申请号： | 200880127888.8 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101960604A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | F·阿利贝尔;G·戈丹;F·拉勒芒;D·朗德吕;K·朗德里;M·沙欣;C·马聚 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。本发明还涉及用于制造这种衬底的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 隐埋层中有 带电 衬底 | ||
【主权项】：
一种连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，其特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的至少一个区域。
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