[发明专利]处理硅晶片的方法和装置有效
| 申请号： | 200880127394.X | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101983415A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | H·卡普勒 | 申请（专利权）人： | 吉布尔.施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B05C1/02;B05C1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 夏心骏;谭祐祥 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于处理硅晶片的方法和装置。在第一步骤中，硅晶片(22)沿连续的水平传送带(12、32)平坦地传送，且喷嘴(20)或类似装置从顶部将蚀刻溶液喷射到晶片上以纹理化晶片，仅少量蚀刻溶液(21)从下部施加到硅晶片(22)。在第二步骤中，在第一步骤中对齐的硅晶片(22)只由蚀刻溶液(35)从下方润湿以蚀刻-抛光硅晶片(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于处理硅晶片(22)的方法，其特征在于，在第一方法步骤中，所述硅晶片(22)水平地沿水平的输送路径(12、32)输送，并且用于纹理化的蚀刻溶液(21)借助于喷嘴(20)或类似装置从上方施加或喷射，期间从所述硅晶片(22)下方在所述第一方法步骤中没有或仅仅很少的蚀刻溶液(21)施加到所述硅晶片(22)，其中在第二方法步骤中，与所述第一方法步骤中具有相同方位的硅晶片(22)以用于抛光蚀刻的蚀刻溶液(35)从下方润湿，优选地仅从下方润湿。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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