[发明专利]新型化合物半导体及其制备方法,以及使用该新型化合物半导体的太阳能电池和热电转换元件有效

专利信息
申请号: 200880126692.7 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101946323A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 朴哲凞;孙世姬;洪承泰;权元锺;金兑训 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: H01L29/12 分类号: H01L29/12;H01B1/02;H01L35/16;H01L31/042;H01L31/04;H01L21/18
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 朱梅;刘晔
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及由以下通式表示的化合物半导体:Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素;Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素;x、y、z、w、a和b为0≤x<1、0<w≤1、0.2<a<4、0≤y<4、0.2<b<4和0≤z<4。这些化合物半导体可用在各种应用中,如太阳能电池或热电转换元件,其中它们可以取代常规使用的化合物半导体,或者与常规使用的化合物半导体一起使用。
搜索关键词: 新型 化合物 半导体 及其 制备 方法 以及 使用 太阳能电池 热电 转换 元件
【主权项】:
由以下通式1表示的化合物半导体:通式1Bi1‑xMxCuwOa‑yQ1yTeb‑zQ2z其中,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素;Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素;x、y、z、w、a和b为0≤x<1、0<w≤1、0.2<a<4、0≤y<4、0.2<b<4和0≤z<4。
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