[发明专利]使用HIPIMS的反应溅射

摘要

本发明提供了用于将绝缘层溅射沉积到形成在衬底中并且具有高的深宽比的腔体的表面上的方法及设备。至少部分地由要被包括在所述绝缘层中的材料形成的靶以及所述衬底被提供在由外壳限定的大体上封闭的室中。等离子体在所述大体上封闭的室内被点燃并且磁场紧邻所述靶的表面被提供以至少部分地紧邻所述靶的所述表面包含所述等离子体。电压迅速地被增加以在阴极和阳极之间重复地建立高功率电脉冲。所述电脉冲的平均功率为至少0.1千瓦，并且可以可选地大得多。所述溅射沉积的操作参数被控制以促进所述绝缘层在金属模式与反应模式之间的过渡模式中的溅射沉积。

主权项

一种用于将绝缘层溅射沉积到形成在衬底中并且具有高的深宽比的腔体的表面上的溅射设备，所述设备包括：外壳，所述外壳限定大体上封闭的室；底座，所述底座被暴露于所述室的内部用于在溅射沉积期间支撑处于所述室内的恰当位置的衬底；磁体组件，所述磁体组件用于提供紧邻至少部分地由要被包括在要被沉积到所述腔体的表面上的绝缘层中的材料形成的靶的表面的磁场；电源，所述电源用于通过要被保持在所述磁场内的等离子体中迅速的电压增加在阴极和阳极之间建立高功率电脉冲，其中所述电脉冲的平均功率为至少0.1千瓦；以及控制器，所述控制器用于控制所述溅射设备的操作参数以大体上在金属模式与反应模式之间的过渡模式中进行所述绝缘层的溅射沉积。