[发明专利]高能质子或中子源有效
| 申请号： | 200880125694.4 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101952899A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 格里戈里·皮费尔 | 申请（专利权）人： | 凤凰原子实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | G21G1/10 | 分类号： | G21G1/10;H05H6/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张阳 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供紧凑型高能质子源，用于制备医用同位素以及其他应用，包括核废料的嬗变。本发明还提供可通过改变燃料类型来产生高通量的各向同性中子的设备。本发明还提供产生下述同位素的装置，所述同位素包括但不限于18F、11C、15O、63Zn、124I、133Xe、111In、125I、131I、99Mo、以及13N。 | ||
| 搜索关键词： | 高能 质子 中子源 | ||
【主权项】：
一种用于产生核粒子的紧凑型装置，包括：离子源、加速器、以及靶系统；所述离子源用于产生离子束并且操作性地耦合至所述离子束加速器；所述加速器用于接收所述离子束并且加速所述离子束以产生加速的离子束；所述靶系统操作性地耦合至所述加速器，以用于容纳衍生核粒子的靶材料，所述靶材料可与所述加速的射束反应以发出核粒子，所述靶系统被确定大小并构造为：a)磁靶室；b)操作性地耦合至高速同步泵的线性靶室；或者c)操作性地耦合至同位素引出系统的线性靶室。
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