[发明专利]使用位线区段的选择性预充电来改进存储器读取稳定性无效
| 申请号： | 200880125030.8 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101919003A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·H·阿布-拉赫马;里图·哈巴;陈南;杨赛森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器装置在存取位单元(34)之前利用选择性预充电和电荷共享来减小位线电压。通过将所述位线的不同区段(31、33)预充电到不同电压(例如，电源电压和接地)并使用这些区段之间的电荷共享来实现位线电压的减小。读取稳定性因位线电压的所述减小而改进。位线区段之间的相对电容差(B2-C2)决定电荷共享之后的所述位线电压。因此，所述存储器装置容许工艺或温度变化。可通过选择预充电到电源电压或接地的所述区段而在设计上控制所述位线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 区段 选择性 充电 改进 存储器 读取 稳定性 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：第一位线，其具有第一区段和第二区段；以及电荷共享电路，其选择性地耦合到所述第一区段和所述第二区段，其中所述电荷共享电路经配置以将所述第一区段耦合到所述第二区段以及使所述第一区段从所述第二区段去耦。
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