[发明专利]制造背接触式光伏电池的方法及由该方法制得的背接触式光伏电池无效
| 申请号： | 200880123696.X | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101919064A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | V·D·米哈伊利奇 | 申请（专利权）人： | 荷兰能源建设基金中心 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 用于制造光伏电池的方法，其包括：提供第一传导类型的半导体基底；在所述半导体基底的正面与背面之间形成至少一个通孔；于所述背面在所述至少一个通孔上方施加正面接触金属膏，所述正面接触金属膏包含第一接触金属；对所述半导体基底退火，从而熔化所述第一接触金属，并在退火期间至少在所述至少一个通孔的壁上形成所述第一接触金属与半导体基底材料的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 接触 式光伏 电池 方法 法制 | ||
【主权项】：
用于制造光伏电池的方法，其包括： 提供第一传导类型的半导体基底； 在所述半导体基底的正面与背面之间形成至少一个通孔； 于所述背面在所述至少一个通孔上方施加正面接触金属膏，所述正面接触金属膏包含第一接触金属； 对所述半导体基底退火，从而熔化所述第一接触金属，并在退火期间至少在所述至少一个通孔的壁上形成所述第一接触金属与半导体基底材料的合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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