[发明专利]多层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200880123169.9 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101986794A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 奥利维尔·泰松;弗朗索斯·利考内克 | 申请（专利权）人： | IPDIA公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种多层结构，尤其是槽式电容器的多层结构，所述结构包括含有沟槽的图形化层结构和第一电极，其中图形化层结构包括FASS曲线(FASS-curve)结构，并且第一电极至少部分形成于该FASS曲线结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层结构(400)，包括：含有沟槽的图形化层结构，以及第一电极(404)，其中，所述图形化层结构包括FASS曲线结构(401)，以及所述第一电极(404)至少部分形成于FASS曲线结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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