[发明专利]半导体发光元件

摘要

提供一种氮化物半导体发光元件，其即使具有脊条状结构，也能够防止元件的驱动电压的上升及内部发热而导致的元件寿命降低，从而使激光特性均匀。在GaN基板(1)上依次迭层有n型GaN层(2)、n型AlGaN层(3)、活化层(4)、p型AlGaN层(5)、p型GaN层(6)。在p型GaN层(6)上形成有绝缘膜(7)与透明电极(8)。透明电极(8)的局部形成为与p型GaN层(6)连接。用于形成波导路的脊条状部D由透明膜(9)构成。透明电极(8)与p型GaN层(6)接触的区域成为条状电流注入区域。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，包括：迭层结构，其通过p型半导体层与n型半导体层夹着活化层；透明电极，其形成在所述p型半导体层的最外侧的半导体层上；和脊条状部，其形成在所述透明电极上并且用于构成光导，其中，所述透明电极及脊条状部相对所述活化层的发光波长是透明的。