[发明专利]一种包括半导体层的可记录光存储介质及其制造方法有效
| 申请号： | 200880121424.6 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101903949A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·费里;拉里莎·帕恰勒斯库;斯蒂芬·克纳普曼 | 申请（专利权）人： | 汤姆逊许可公司 |
| 主分类号： | G11B7/0045 | 分类号： | G11B7/0045;G11B7/24;G11B7/243 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 法国布洛涅*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种可记录光存储介质，包括基片层(2)、数据层和用于所述数据层的第一和第二保护层(6，7)，其中所述数据层包括半导体层(3，4)和以掺杂材料掺杂所述半导体层(3，4)的掺杂层(5)。所述半导体层是具有低反射率的本征半导体层或本质上的本征半导体层，并且对所述掺杂层的掺杂材料进行选择，从而在读取具有扩散至半导体层的掺杂层的掺杂材料的记录的数据层的过程中，使半导体层的反射率增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包括 半导体 记录 存储 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可记录光存储介质，包括基片层(2)、数据层和用于所述数据层的第一和第二保护层(6，7)，其特征在于，所述数据层包括半导体层(3，4)和以掺杂材料掺杂所述半导体层(3，4)的掺杂层(5)。
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