[发明专利]低噪声和低输入电容的差动修正型导数叠加低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 200880121042.3 申请日: 2008-12-16
公开(公告)号: CN101904091A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 乔斯·卡瓦尼利亚斯;普拉萨德·S·古德曼;金那苏;克里斯蒂安·马尔库;阿努普·萨芙拉 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种差动低噪声放大器(LNA)涉及被偏置于饱和中的两个主放大晶体管和被偏置于亚阈值中的两个消除晶体管。在一个实例中,所述消除晶体管的栅极以对称且交叉耦合的方式耦合到主晶体管的漏极。所述主晶体管是源极退化型晶体管。因为消除晶体管的所述栅极未耦合到所述LNA的差动输入引线,所以所述LNA的输入电容得以减少。因为存在两个级,所以归因于所述消除晶体管被偏置于所述亚阈值区域中而引入到LNA输出中的噪声得以减少。第一级涉及所述主晶体管,且第二级涉及所述消除晶体管。通过增加所述第一级的增益且减小所述第二级的增益,在减少亚阈值偏置型晶体管带给所述LNA输出的噪声的同时维持总的LNA增益。
搜索关键词: 噪声 输入 电容 差动 修正 导数 叠加 低噪声放大器
【主权项】:
一种放大器,其具有第一差动输入节点和第二差动输入节点,所述放大器包含:第一晶体管,其被偏置于饱和区域中,其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一差动输入节点;第二晶体管,其被偏置于所述饱和区域中,其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述第二差动输入节点;第三晶体管,其被偏置于亚阈值区域中,所述第三晶体管具有电容性耦合到所述第二晶体管的漏极的栅极,其中所述第三晶体管的漏极上的第一消除信号消除由所述第一晶体管产生的第一失真信号的至少一部分;以及第四晶体管,其被偏置于所述亚阈值区域中,所述第四晶体管具有电容性耦合到所述第一晶体管的漏极的栅极,其中所述第四晶体管的漏极上的第二消除信号消除由所述第二晶体管产生的第二失真信号的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880121042.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top