[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880120715.3 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101897018A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 山本敏;桥本广和 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L27/14;H01L29/84;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;王轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置和其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：贴合工序，其将具有光透过性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以上述功能元件与上述第一基板相对的方式贴合；薄板化工序，其使上述第一基板和上述第二基板中的至少一方薄板化；以及贯通孔形成工序，其在上述第一基板和上述第二基板的贴合部的至少一部分，形成空腔和与该空腔连通的贯通孔。根据本发明，能够避免由空腔的有无引起的研削后的凹凸或裂纹的产生，能够使基板更均匀地薄板化。此外，能够以更简便的工序制造能够有助于器件和搭载有它们的电子设备的小型化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其包括：贴合工序，其将具有光透过性的第一基板和在一面上具有功能元件的第二基板，以所述功能元件与所述第一基板相对的方式贴合；薄板化工序，其使所述第一基板和所述第二基板中的至少一方薄板化；以及贯通孔形成工序，其在所述第一基板和所述第二基板的贴合部的至少一部分，形成空腔和与该空腔连通的贯通孔。
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