[发明专利]具有改善的气流分布的热反应器有效
| 申请号： | 200880120627.3 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101896995A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 曾明贵(迈克尔);诺曼·塔姆;横田义孝;阿古斯·查德拉;罗伯特·纳瓦斯卡;梅德赫拉恩·贝赫贾特;森德·拉马默蒂;凯达尔纳什·桑格姆;亚历山大·N·勒纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供用于改善热处理期间的气体分布的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于处理基板的设备，该设备包括：腔室主体，界定一处理容积；基板支撑件，设置于该处理容积中，其中该基板支撑件配置以支撑并旋转该基板；气体入口组件，耦接至该腔室主体的入口，并配置以提供第一气流至该处理容积；以及排气组件，耦接至该腔室主体的出口，其中该气体入口组件及该排气组件设置在该腔室主体的相对侧，且该排气组件界定配置以延伸该处理容积的排气容积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 气流 分布 反应器 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体，界定处理容积；基板支撑件，设置于该处理容积中，其中该基板支撑件配置以支撑并旋转该基板；气体入口组件，耦接至该腔室主体的一入口，并配置以提供第一气流至该处理容积；以及排气组件，耦接至该腔室主体的一出口，其中该气体入口组件及该排气组件设置在该腔室主体的相对侧，且该排气组件界定配置以延伸该处理容积的排气容积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
