[发明专利]发射偏振辐射的半导体器件有效
| 申请号： | 200880120395.1 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101897044A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | R·沃思;J·穆沙维克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;李家麟 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种半导体器件，其发射带有第一偏振方向的偏振辐射。该半导体器件具有芯片壳体、半导体芯片和远离芯片的偏振滤光器。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 偏振 辐射 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种发射具有第一偏振方向的偏振辐射的半导体器件(1)，其具有：‑芯片壳体(2)；‑半导体芯片(3)，其设置在芯片壳体(2)中并且产生非偏振的辐射；以及‑远离芯片的、集成到所述芯片壳体(2)中的偏振滤光器(4)，该偏振滤光器(4)在优先方向(V)上设置在该半导体芯片(3)之后并且将该半导体芯片(3)发出的辐射划分为具有第一偏振方向的第一辐射部分(S1)和具有第二偏振方向的第二辐射部分(S2)，其中该远离芯片的偏振滤光器(4)对于该第一辐射部分(S1)具有比对于该第二辐射部分(S2)高的透射度。
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