[发明专利]形成衬底元件的方法无效
| 申请号： | 200880120188.6 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101999162A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西希科·雷傲;弗朗西希科·兰米;杰弗瑞·米勒;大卫·大特恩;大卫·P·斯杜姆伯 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B81C1/00;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申振发 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成衬底元件的方法，所述衬底元件包括诸如纳米线、晶体管和其他结构之类的半导体元件，还涉及通过这种方法形成的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 衬底 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成一个或更多衬底元件的方法，包括：(a)提供设置在支撑层上的衬底层；(b)将一个或更多掩模区设置在所述衬底层上，以覆盖所述衬底层的至少一部分；(c)去除一个或更多未覆盖的衬底层部分；(d)去除所述衬底层下面的至少一部分支撑层，从而形成一个或更多悬置衬底元件，其中所述悬置衬底元件保持附着到所述衬底层，并且可以在去除之前处理所述悬置衬底元件；以及(e)去除所述衬底元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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