[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：基板；相互平行地形成在所述基板上的多个第一配线；形成在所述基板和所述第一配线上的第一层间绝缘层；第一存储单元孔，其形成于所述第一配线上的所述第一层间绝缘层；第一二极管元件，其形成于所述第一存储单元孔的内部且与所述第一配线连接；相互平行地形成的多个第二配线，其由依次层叠有所述第一电阻变化元件的电阻变化层、导电层、第二电阻变化元件的电阻变化层的多层构成，所述第二配线覆盖在所述第一二极管元件的上面，并且与所述第一配线正交地形成于所述第一层间绝缘层上；形成于所述第二配线和所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层；贯通所述第二配线上的所述第二层间绝缘层而形成的第二存储单元孔；第二二极管元件，其形成于所述第二存储单元孔的内部并与所述第二配线连接；相互平行地形成的多个第三配线，其覆盖在所述第二二极管元件的上面，并且与所述第二配线正交地形成于所述第二层间绝缘层上。