[发明专利]包含第Ⅳ-Ⅵ族半导体核-壳纳米晶的光伏电池无效
| 申请号： | 200880120105.3 | 申请日： | 2008-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102308393A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | E·利弗斯兹;V·依拉利斯 | 申请（专利权）人： | 泰克尼昂研究开发基金有限公司;默克专利股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0232;H01L31/032;H01G9/20;H01L31/055 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 于晓霞 |
| 地址： | 以色*** | 国省代码： | 以色列;IL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及包含作为光活性成分的第IV-VI族半导体纳米晶的光伏电池。具体地说，这些纳米晶具有核-壳或核-合金化壳的构型，每一个都分别包含具有选定带隙能的第一IV-VI族半导体材料的核和由第二IV-VI族半导体材料组成的核外覆壳或由所述第一IV-VI族半导体材料与第二IV-VI族半导体材料的合金组成的核外覆合金化壳。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 半导体 纳米 电池 | ||
【主权项】：
一种包含作为光活性成分的第IV‑VI族半导体纳米晶的光伏电池，其中所述纳米晶是：(i)核‑壳半导体纳米晶，其每一个包含具有选定带隙能的第一IV‑VI族半导体材料的核和由第二IV‑VI族半导体材料组成的核外覆壳；或(ii)核‑合金化壳半导体纳米晶，其每一个包含具有选定带隙能的第一IV‑VI族半导体材料的核和由所述第一IV‑VI族半导体材料与第二IV‑VI族半导体材料的合金组成的核外覆合金化壳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
