[发明专利]用于在半导体基板上分层淀积各种材料的装置,和在这种装置中使用的起模针无效
| 申请号: | 200880118253.1 | 申请日: | 2008-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN101878323A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
| 发明(设计)人: | M·G·万芒斯特;C·P·M·布基斯;A·利詹纳 | 申请(专利权)人: | 齐卡博制陶业有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/687 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
| 地址: | 荷兰海*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 本发明涉及包括加工空间和若干个起模针(50)的淀积装置,在所述加工空间中设置有基板支承体,所述起模针可以移动到所述基板支承体的平面中以及从所述基板支承体的平面中移出,以辅助将半导体基板引入到所述加工空间中以及将该半导体基板从所述加工空间中去除。所述装置的特征在于,所述起模针(50)的要与所述半导体基板和/或所述基板支承体相接触的接触表面(52)设置有以下材料层(54),所述材料层具有比所述半导体基板和/或所述基板支承体更低的硬度。这消除了作为当将所述半导体基板从所述基板支承体(基座)升起以及降落到所述基板支承体上的时候所述半导体基板被不希望地移位的结果而对所述半导体基板和/或所述基板支承体造成损伤的风险。因而,不存在形成划痕和释放微粒的风险,形成划痕和释放微粒很可能不利地影响到半导体制造处理。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 半导体 基板上 分层 各种 材料 装置 这种 使用 起模针 | ||
【主权项】:
一种用于在半导体基板上分层淀积各种材料的装置,该装置包括:加工空间,在该加工空间中设置有基板支承体,在所述基板支承体上能够设置所述半导体基板,用于以气态形式向所述加工空间提供所述各种材料的装置,以及若干个起模针,这些起模针可以移动到所述基板支承体的平面中以及从所述基板支承体的平面中移出,以辅助将所述半导体基板引入到所述加工空间中以及将所述半导体基板从所述加工空间中去除,其特征在于,所述起模针的要与所述半导体基板和/或所述基板支承体接触的接触表面设置有以下材料层,所述材料层具有比所述半导体基板和/或所述基板支承体低的硬度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





