[发明专利]用以控制感应耦合等离子体室中边缘表现的设备与方法有效
| 申请号: | 200880117690.1 | 申请日: | 2008-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN101874292A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 刘炜;乔黑尼斯·F·斯温伯格;哈恩·D·阮;桑·T·阮;罗杰·柯蒂斯;菲利普·A·博蒂尼;迈克尔·J·马克 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/34 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明一般地提供在处理过程中控制边缘表现的方法与设备。本发明一个实施例提供的设备包括界定处理空间的腔室主体、设置以将处理气体流入处理空间的气体入口、及配置于处理空间中的支撑底座。支撑底座包括顶部平板,其具有设置以于背侧上接收并支撑基板的基板支撑表面、与设置以沿着基板的外边缘围绕基板的边缘表面,而基板的顶表面与边缘表面间的高度差用来控制基板的边缘区域对处理气体的暴露。 | ||
| 搜索关键词: | 用以 控制 感应 耦合 等离子体 边缘 表现 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种处理基板的设备,包括:腔室主体,界定处理空间;气体入口,设置以将处理气体流入该处理空间中;及支撑底座,配置于该处理空间中,其中该支撑底座包括顶部平板,该顶部平板具有设置以于背侧上接收并支撑该基板的基板支撑表面、及设置以沿着该基板的外边缘围绕该基板的边缘表面,其中该基板的顶表面与该边缘表面间的高度差用来控制该基板的边缘区域对该处理气体的暴露。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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