[发明专利]使用氧化物垫片减小节距无效
| 申请号： | 200880115933.8 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101855706A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 金智洙;柯南·江;品川俊;S·M·列扎·萨贾迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在防反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下。将该衬底放在处理室中。打开该ARC层。形成氧化物垫片沉积层。部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，其中该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去。通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层。穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层。从该处理室除去该衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 垫片 减小 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在防反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下，该方法包含：(a)将该衬底放在处理室中；(b)穿过该图案化掩模的该掩模特征打开该ARC层；(c)形成氧化物垫片沉积层，该氧化物垫片沉积层包括顶部部分、侧壁和底部部分，该顶部部分覆盖该有机掩模的顶部，该侧壁覆盖该有机掩模的侧壁，而该底部部分覆盖该掩模特征的底部；(d)通过蚀刻部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去；(e)通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层；(f)穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层；以及(g)从该处理室除去该衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
