[发明专利]具有载流子注入的硅发光器件有效
| 申请号： | 200880115897.5 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101855736A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | M·杜普莱希斯 | 申请（专利权）人： | 因西亚瓦(控股)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 南非比*** | 国省代码： | 南非;ZA |
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| 摘要： | 一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间。所述第一和第二结区域彼此间隔开不超出少数载流子扩散长度。将端子布置连接到该主体的第一、第二和第三区域，以在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式，和用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中。隔离材料的第二主体(22)位置紧邻所述第三区域的至少一个壁，从而减少来自所述第三区域的寄生注入。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 载流子 注入 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：-间接带隙材料的第一主体；-在该主体内的第一结区域，其形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域和该主体的第二掺杂类型的第二区域之间；-在该主体内的第二结区域，其形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间；-所述第一和第二结区域彼此间隔不超出少数载流子扩散长度；-端子布置，其连接到该主体的所述第一、第二和第三区域，在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式以及用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中；以及-隔离材料的第二主体，其与所述第三区域的至少一个壁紧邻，从而减少来自所述第三区域的寄生注入。
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