[发明专利]用于非水电解质二次电池的负极材料,用于非水电解质二次电池的负极,非水电解质二次电池,以及用作非水电解质二次电池负极材料的活性物质的多晶硅颗粒的制造方法有效
| 申请号： | 200880115739.X | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101919090A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 高野靖男;福井厚史;砂野泰三;神野丸男;中西铁雄;渡边浩一朗 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;C01B33/029;H01M4/02;H01M4/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于非水电解质二次电池的负极材料，特征在于，该负极材料包含作为活性物质的多晶硅颗粒，该多晶硅的微晶的粒径为20nm-100nm，微晶尺寸通过谢乐方法，由在x射线衍射图形分析中的2θ＝28.4°附近的属于Si(111)的衍射峰的半高宽确定，且该硅颗粒的真比重是2.300-2.320。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 水电 二次 电池 负极 材料 以及 用作 活性 物质 多晶 颗粒 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于非水电解质二次电池的负极材料，其特征在于，该负极材料包括作为活性物质的多晶硅颗粒，多晶硅的微晶具有20nm 100nm的粒径，微晶尺寸通过谢乐方法，由在x射线衍射图形分析中的2θ＝28.4°附近的属于Si(111)的衍射峰的半高宽确定，且该硅颗粒具有2.300 2.320的真比重。
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