[发明专利]具有台面结构及包含台面台阶的缓冲层的功率半导体器件有效
| 申请号： | 200880115194.2 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101855726A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 张清纯;A·K·阿加沃尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 双极结晶体管包括具有第一导电类型的集电极、在集电极上的具有第一导电类型的漂移层、在漂移层上的且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的基极层、在基极层上的具有第一导电类型的并且与基极层形成p-n结的轻度掺杂的缓冲层、以及在缓冲层上的具有第一导电类型的且具有侧壁的发射极台面。缓冲层包括邻接于发射极台面的侧壁的且与其隔离开的台面台阶，并且在发射极台面之下的缓冲层的第一厚度大于在台面台阶之外的缓冲层的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台面 结构 包含 台阶 缓冲 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种双极结晶体管，包括：具有第一导电类型的集电极；在所述集电极上的具有所述第一导电类型的漂移层；在所述漂移层上的且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极层；在所述基极层上的具有所述第一导电类型的并且与所述基极层形成p-n结的缓冲层，其中所述缓冲层具有小于所述基极层的掺杂浓度的掺杂浓度；以及在所述缓冲层上的具有所述第一导电类型的且具有侧壁的发射极台面；其中所述缓冲层包括邻接于所述发射极台面的所述侧壁且与其横向隔开的的台面台阶，所述缓冲层的在所述发射极台面之下的第一厚度大于所述缓冲层的在所述台面台阶之外的第二厚度。
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