[发明专利]锂离子储存/释放材料的制备方法、锂离子储存/释放材料、使用该材料的电极结构体和储能器件无效

专利信息
申请号: 200880115010.2 申请日: 2008-09-08
公开(公告)号: CN101849306A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 川上总一郎;挂川法重;柏崎昭夫;飨场利明;上野理惠;岛田干夫;小岛薰;野间敬 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王健
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供能电化学储存和释放大量锂离子的材料的制备方法。能电化学储存和释放大量锂离子的储能器件的负极用电极材料,其特征在于:由每个具有5nm~200nm直径和具有1nm~10nm厚度的无定形表面层的晶体颗粒组成硅或锡初级粒子,其中每个初级粒子的该无定形表面层至少由金属氧化物组成。由金属的氧化生成所述金属氧化物时的吉布斯自由能小于将硅或锡氧化时的吉布斯自由能;以及所述金属氧化物具有高于硅氧化物或锡氧化物的热力学稳定性。能电化学储存和释放大量锂离子的储能器件的负极用电极材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤中的任一个:(i)使硅或锡与金属氧化物反应的步骤,(ii)使硅氧化物或锡氧化物与金属反应的步骤,(iii)使硅化合物或锡化合物与金属化合物反应的步骤。
搜索关键词: 锂离子 储存 释放 材料 制备 方法 使用 电极 结构 器件
【主权项】:
能电化学储存和释放锂离子的储能器件的负极用电极材料,该电极材料包含由每个具有5nm~200nm直径和具有1nm~10nm厚度的无定形表面层的晶体颗粒组成的硅或锡初级粒子,其中,每个初级粒子的无定形表面层至少由金属氧化物形成;由金属的氧化生成该金属氧化物时的吉布斯自由能小于将硅或锡氧化时的吉布斯自由能;和该金属氧化物具有高于硅氧化物或锡氧化物的热力学稳定性。
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