[发明专利]用于跨晶片区域预测半导体参数的装置和方法有效
| 申请号: | 200880113786.0 | 申请日: | 2008-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN101939833B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | P·伊兹克森 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 提供了用于使用多个已知参数值预测多个未知参数值(例如叠对误差或临界尺寸)的装置和方法。在一个实施方案中,所述方法包括训练神经网络来预测所述多个参数值(114,700,800,900)。在其他实施方案中,所述预测过程不依赖于光刻工具的光学性质。这些预测可以被用来确定晶片批次的处置(114)。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 晶片 区域 预测 半导体 参数 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种预测在晶片至少一部分上分布的多个参数值的方法,所述方法包括:提供多个已知参数值,所述已知参数值是从所述晶片上特定测量位置处的多个计量目标测量的,所述参数包括:(a)来自光刻工具的对准量度;(b)表征所述晶片性质的处理量度;以及(c)量化所述晶片上目标的背景特性的质量量度;使用所述测量的已知参数值训练神经网络,以便于经训练的神经网络被配置为预测多个预测的参数值,从而与所述特定测量位置对应的所述预测的参数值的子集在所述对应测量的已知参数值的预定义误差函数内;使用所述经训练的神经网络来预测在跨所述晶片至少一部分分布的多个位置处的所述预测的参数值;以及基于所述经训练的神经网络预测的所述预测的参数值确定所述晶片是合格还是不合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





