[发明专利]由至少两个半导体基体组成的复合物以及制造方法无效
| 申请号： | 200880110721.0 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101821847A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | A·特劳特曼;A·费伊 | 申请（专利权）人： | 罗伯特.博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;B81C1/00;H01L21/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹若;梁冰 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及复合物(5)，它包括有第一半导体基体(1)，它用钎焊料(3)固定在至少第二半导体基体(4)上，其中在钎焊料(3)和第二半导体基体(4)和/或至少一个在一定情况下设在这半导体基体(4)上的薄层之间设计有一种低共熔混合物(6)。按照本发明规定：低共熔混合物(6)设计在钎焊料(3)和微型结构(8)之间，这种结构在与钎焊料(3)的接触部位里，设计在第二半导体基体(4)和/或薄层上。此外本发明还涉及一种制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 至少 两个 半导体 基体 组成 复合物 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
复合物，它包括有第一半导体基体(1)，它用钎焊料(3)固定在至少第二半导体基体(4)上，其中在钎焊料(3)和第二半导体基体(4)和/或至少一个可能设在这第二半导体基体(4)上的层之间设计有低共熔混合物(6)，其特征在于，低共熔混合物(6)设计在钎焊料(3)和微型结构(8)之间，这种微型结构在与钎焊料(3)的接触部位里，设置在第二半导体基体(4)和/或所述层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特.博世有限公司，未经罗伯特.博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880110721.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于内容识别的系统和方法
- 下一篇：具有显示器的车载转向柱组件
