[发明专利]光电子器件有效
| 申请号: | 200880108884.5 | 申请日: | 2008-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN101809765A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
| 发明(设计)人: | R·沃思 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;蒋骏 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 公开了一种光电子器件,其具有以下特征:至少一个半导体本体(1),其被设计用于发射第一波长范围的电磁辐射;辐射可透射的内部成形体(2),半导体本体(1)嵌入到该成形体中;在内部成形体(2)的外侧(5)上的波长转换层(6),其包括波长转换材料(8),该波长转换材料适于将第一波长范围的辐射转换到不同于第一波长范围的第二波长范围的辐射中;输出耦合透镜(10),内部成形体(2)和波长转换层(6)嵌入到该输出耦合透镜中,其中输出耦合透镜(10)具有内侧和外侧,所述内侧被半径R转换的内部半球面包围,而所述外侧包围半径R外的外部半球面,并且半径R转换和R外满足维尔斯特拉斯条件:R外≥R转换*n透镜/n空气,其中n透镜是输出耦合透镜的折射率,而n空气是输出耦合透镜的环境的折射率。 | ||
| 搜索关键词: | 光电子 器件 | ||
【主权项】:
一种光电子器件,包括:-至少一个半导体本体(1),其被设置用于发射第一波长范围的电磁辐射,-辐射可透射的内部成形体(2),该半导体本体(1)嵌入到该内部成形体(2)中,-在该内部成形体(2)的外侧(5)上的波长转换层(6),其包括波长转换材料(8),该波长转换材料适于将第一波长范围的辐射转换成不同于第一波长范围的第二波长范围的辐射,-输出耦合透镜(10),该内部成形体(2)和波长转换层(6)嵌入到该输出耦合透镜中,其中-所述输出耦合透镜(10)具有内侧和外侧,该内侧被半径R转换的内部半球面包围,所述外侧包围半径R外的外部半球面,并且所述半径R转换和R外满足维尔斯特拉斯条件:R外≥R转换*n透镜/n空气其中n透镜是所述输出耦合透镜的折射率,而n空气是所述输出耦合透镜的环境的折射率。
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