[发明专利]具有冷却的背板的PECVD工艺腔室无效
| 申请号： | 200880108199.2 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101802272A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 崔寿永;R·L·蒂纳;J·M·怀特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C23C16/458;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致上是有关于一种用以在一玻璃基板上沉积非晶或微晶硅以制造太阳能伏特电池的等离子增强化学气相沉积腔室。腔室包括一背板，背板具有至少一流体接收导管以接收冷却流体而将腔室内由等离子产生的热移除，藉此稳定化且冷却该背板，以确保基板表面上的材料沉积的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冷却 背板 pecvd 工艺 | ||
【主权项】：
一种用以在玻璃基板上沉积非晶或微晶硅的等离子增强化学气相沉积腔室，其包含：冷却的背板，其被该腔室所承载；以及扩散器，其用以提供工艺气体，该扩散器是与该背板保持热传送接触。
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