[发明专利]用于大气压力下的甚高频等离子体辅助CVD的设备和方法及其应用有效
| 申请号： | 200880107800.6 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101802259A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | J-C·罗斯坦;D·介朗;F·诺埃尔;H·丹尼尔 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/511 | 分类号： | C23C16/511;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在大气压力下在衬底上进行CVD的方法，其特征在于，所述方法受到甚高频等离子体的辅助，所述甚高频等离子体由使用微带线路型或中空导体线路型的细长导体的场施加器产生。本发明还涉及该方法的用途，用于在交通工具的车体部件(特别地，缓冲器)上施加导电无机层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 大气压力 甚高频 等离子体 辅助 cvd 设备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种在大气压力下实施的用于在衬底上沉积的CVD方法，其特征在于，所述方法受到甚高频等离子体的辅助，所述甚高频等离子体由使用微带线路型或中空导体线路型的细长导体的场施加器产生。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
