[发明专利]薄膜太阳能电池系统和制造薄膜太阳能电池的方法及设备无效
| 申请号: | 200880104659.4 | 申请日: | 2008-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN101842900A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
| 发明(设计)人: | J·斯普林格 | 申请(专利权)人: | 欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘金凤;王忠忠 |
| 地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | 一种用于制造薄膜太阳能电池的方法,包括在面积至少为0.75m2的衬底上设置第一导电层。第一导电层位于所述面积的沉积部分中。施加紫外激光束,使其穿过透镜到第一导电层。划刻第一导电层的部分以形成穿过该层的沟槽。透镜聚焦所述束并且具有至少100mm的焦距。聚焦的束包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分。衬底下陷并且在施加步骤中第一导电层跨越所述面积保持在聚焦的束的有效部分中。一个或多个有源层设置在第一导电层上。第二导电层设置在所述一个或多个有源层上。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 系统 制造 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于制造薄膜太阳能电池的方法,包括步骤:在衬底上提供第一导电层,其中所述衬底具有至少为0.75m2的面积并且所述第一导电层位于所述面积的沉积部分中;施加紫外激光束,使其穿过透镜到所述第一导电层,并且划刻所述第一导电层的部分直到所述衬底,以形成穿过所述第一导电层的沟槽,其中所述透镜聚焦所述紫外激光束并且具有大于100mm的焦距,其中聚焦的紫外激光束包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分,以及其中,所述衬底下陷,从而使得所述第一导电层的在施加步骤中被划刻的部分在被划刻时位于聚焦的紫外激光束的有效部分之内;在所述第一导电层上提供一个或多个有源层;以及在所述一个或多个有源层上提供第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





