[发明专利]薄膜太阳能电池系统和制造薄膜太阳能电池的方法及设备无效

专利信息
申请号: 200880104659.4 申请日: 2008-08-28
公开(公告)号: CN101842900A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: J·斯普林格 申请(专利权)人: 欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)
主分类号: H01L27/142 分类号: H01L27/142
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘金凤;王忠忠
地址: 瑞士特*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 一种用于制造薄膜太阳能电池的方法,包括在面积至少为0.75m2的衬底上设置第一导电层。第一导电层位于所述面积的沉积部分中。施加紫外激光束,使其穿过透镜到第一导电层。划刻第一导电层的部分以形成穿过该层的沟槽。透镜聚焦所述束并且具有至少100mm的焦距。聚焦的束包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分。衬底下陷并且在施加步骤中第一导电层跨越所述面积保持在聚焦的束的有效部分中。一个或多个有源层设置在第一导电层上。第二导电层设置在所述一个或多个有源层上。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 系统 制造 方法 设备
【主权项】:
一种用于制造薄膜太阳能电池的方法,包括步骤:在衬底上提供第一导电层,其中所述衬底具有至少为0.75m2的面积并且所述第一导电层位于所述面积的沉积部分中;施加紫外激光束,使其穿过透镜到所述第一导电层,并且划刻所述第一导电层的部分直到所述衬底,以形成穿过所述第一导电层的沟槽,其中所述透镜聚焦所述紫外激光束并且具有大于100mm的焦距,其中聚焦的紫外激光束包括对于划刻有效的有效部分和对于划刻无效的无效部分,以及其中,所述衬底下陷,从而使得所述第一导电层的在施加步骤中被划刻的部分在被划刻时位于聚焦的紫外激光束的有效部分之内;在所述第一导电层上提供一个或多个有源层;以及在所述一个或多个有源层上提供第二导电层。
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