[发明专利]真空断路器有效
申请号: | 200880101951.0 | 申请日: | 2008-06-03 |
公开(公告)号: | CN101772865A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | P·N·斯多文 | 申请(专利权)人: | 库帕技术公司 |
主分类号: | H01R39/00 | 分类号: | H01R39/00 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人: | 严慎 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了示例性的真空断路器。 | ||
搜索关键词: | 真空 断路器 | ||
【主权项】:
一种真空断路器,包括:电极组件,所述电极组件包括电接触体;绝缘体,所述绝缘体包括基本上绕所述电极组件设置的电绝缘材料;以及屏蔽,所述屏蔽设置在所述绝缘体和所述电极组件之间,并且被配置为阻止来自所述电极组件的所述电接触体的电弧等离子体沉积在所述绝缘体表面的至少部分上,所述屏蔽包括被配置来使所述屏蔽与所述绝缘体对准的第一段、从所述绝缘体延伸离开的第二段,以及延伸向所述绝缘体并包括所述屏蔽的尖梢的第三段,其中所述第一段和所述第三段之间的轴向距离大于所述第一段和所述第二段之间的轴向距离。
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