[发明专利]具有高K电介质的CMUT有效
| 申请号： | 200880101200.9 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101772383A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | A·L·鲁斯特;K·赖曼;M·克莱;J·T·M·范贝克;J·D·弗雷泽 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种电容式超声换能器，包括第一电极、第二电极和第三电极；所述第三电极包括相对于所述第一电极可塌陷地间隔设置的中央区域，和从所述中央区域向外设置并相对于所述第二电极可塌陷地间隔设置的外围区域。该所述换能器还包括高介电常数材料层，其设置在所述第三电极和所述第一电极之间，以及所述第三电极和所述第二电极之间。所述换能器可以塌陷模式操作，其中所述第三电极的所述外围区域相对于所述第二电极振荡，并且所述第三电极的所述中央区域相对于所述第一电极完全塌陷，从而使所述电介质层被夹入其中。可还包括诸如d31和d33模型压电驱动之类的压电驱动。医学成像系统包括设置在公共基板上的这种电容式超声换能器的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 cmut | ||
【主权项】：
一种电容式超声换能器，包括：第一电极；第二电极；第三电极，所述第三电极包括相对于所述第一电极可塌陷地间隔设置的中央区域，和从所述中央区域向外设置并相对于所述第二电极可塌陷地间隔设置的外围区域；以及高介电常数材料层，其设置在所述第三电极和所述第一电极之间，以及所述第三电极和所述第二电极之间。
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