[发明专利]平面双栅晶体管存储单元无效
| 申请号： | 200880100874.7 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101765915A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | T·B·道;沃恩-于·西恩;布鲁斯·E·怀特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种适合于用作存储单元的半导体器件(300)，包括具有顶面和底面的半导体主体(302)、覆盖所述半导体主体顶面(302)的顶栅电介质(145)、覆盖顶栅电介质(145)的导电顶栅电极(161)、在半导体主体(302)底面下面的底栅电介质(106)、在底栅电介质(106)下面的导电底栅电极(108)、以及电荷俘获层(104)。电荷俘获层(104)包括在半导体主体的顶面或底面附近包括多个浅电荷陷阱(104)。电荷俘获层(104)可以是氧化铝、氮化硅、或硅纳米簇。电荷俘获层(104)可以位于底栅电介质(106)与半导体主体(302)的底面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶体管 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种适合于用作存储单元的半导体器件，包括：半导体主体，其具有顶面和底面；顶栅电介质，其覆盖所述半导体主体顶面；导电顶栅电极，其覆盖所述顶栅电介质；底栅电介质，其在所述半导体主体底面下面；导电底栅电极，其在所述底栅电介质下面；以及电荷俘获层，其包括多个浅电荷陷阱，覆盖所述半导体主体的顶面或在所述半导体主体的底面的下面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
