[发明专利]研磨用组合物在审
| 申请号： | 200880024544.4 | 申请日： | 2008-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101743624A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 田上利香;能条治辉;太田庆治 | 申请（专利权）人： | 霓达哈斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的研磨用组合物是适合研磨金属膜即所谓的精研磨的研磨用组合物，其含有作为研磨粒的由光散射法求得的平均粒径为20nm以上但不足80nm的胶体二氧化硅和作为氧化剂的选自碘酸及其盐中的至少1种，且余量为水。通过含有上述成分，不仅能实现非选择性，还能充分地抑制凹陷和腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 | ||
【主权项】：
一种研磨用组合物，其特征在于，其含有通过采用光散射法的粒度分布测定求得的平均粒径为20nm以上但不足80nm的胶体二氧化硅和钝态保持电流值为0mA～0.5mA的氧化剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
