[发明专利]Ⅲ族氮化物单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200880024501.6 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101743346A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 仓冈义孝;角谷茂明;三好实人;今枝美能留 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过气相生长法在基板(1)上形成由Ⅲ族氮化物构成的基底膜(2)。通过在氢存在下加热处理基板(1)以及基底膜(2)，除去基底膜(2)使基板(1)的表面粗面化。通过气相生长法在基板(1A)的表面形成由Ⅲ族氮化物单晶构成的籽晶膜(4)。在籽晶膜(4)上通过助熔剂法培养Ⅲ族氮化物单晶(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物单晶的制造方法，特征在于，具有：基底膜形成工序，通过气相生长法在基板上形成由III族氮化物构成的基底膜；蚀刻工序，通过在氢存在下加热处理所述基板以及所述基底膜，除去所述基底膜使所述基板的表面粗面化；籽晶膜形成工序，通过气相生长法在所述基板表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜；以及单晶培养工序，在所述籽晶膜上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880024501.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种工程机械基础装配培训台
- 下一篇：一种英语教学用具
