[发明专利]用于半导体部件的接触结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200880023962.1 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101743639A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | A·克劳泽;B·比特纳尔;H·诺伊豪斯;M·库策尔 | 申请（专利权）人： | 德国细胞有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;C23C28/02;C25D5/02;C25D5/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 德国弗赖贝*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体部件(1)包括：衬底(2)，其具有第一侧(3)和第二侧(4)；以及多层接触结构(9)，其设置在所述衬底(2)的至少一侧(3，4)上，其中所述接触结构(9)具有阻挡层(6)，所述阻挡层(6)用于防止离子从所述阻挡层(6)的与所述衬底(2)相对的一侧扩散到所述衬底(2)中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 部件 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体部件(1)，包括：a)衬底(2)，其具有第一侧(3)和第二侧(4)；以及b)多层接触结构(9)，其设置在所述衬底(2)的至少一侧(3，4)上，c)所述接触结构(9)具有阻挡层(6)，所述阻挡层(6)用于防止离子从所述阻挡层(6)的背离所述衬底(2)的一侧扩散到所述衬底(2)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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