[发明专利]用于优化导电膜中由H+质子和/或OH-离子的位移提供的电导率的方法有效

专利信息
申请号: 200880023927.X 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN101689670A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: B·萨拉;O·拉克罗克斯;S·维勒曼;K·拉莫尼;竹之内久;A·范德利;P·科隆邦;P·格里奥;B·邦热里乌-赛德热拉里 申请(专利权)人: 阿海珐核能公司;陶瓷技术公司;阿美尼斯;国家科学研究中心
主分类号: H01M8/12 分类号: H01M8/12;C25B13/04;B01D53/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华;庞淑敏
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及用于优化导电膜中由H+质子和/或OH-离子的位移提供的电导率的方法,该导电膜由允许蒸汽插入所述膜的材料制成,其中所述方法包括下述步骤:在压力下将包含蒸汽的气体流插入所述膜,以在特定分压下迫使所述蒸汽进入所述膜,从而在给定温度下获得期望电导率,所述分压高于或等于1巴,工作温度的下降通过增大所述分压来补偿,从而获得相同的期望电导率。本发明可以在以下领域中尤为令人感兴趣地被使用:用于生产氢的高温水电解、使用氢燃料的燃料电池的制造以及氢的分离和纯化。
搜索关键词: 用于 优化 导电 sup 质子 oh 离子 位移 提供 电导率 方法
【主权项】:
1.用于优化导电膜中由H+质子和/或OH-离子的位移提供的电导率的方法,该导电膜由允许蒸汽插入所述膜的材料制成,其中所述方法包括下述步骤:在压力下将包含蒸汽的气体流插入所述膜,以在特定分压下迫使所述蒸汽进入所述膜,从而在给定温度下获得期望电导率,所述分压高于或等于1巴,工作温度的下降通过增大所述分压来补偿,从而获得相同的期望电导率。
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