[发明专利]用于先进内存器件的自行对准的狭型储存元件有效
| 申请号： | 200880023742.9 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101803006A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | S·A·帕里克 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在半导体衬底上形成次微影(sub-lithographic)电荷储存组件之方法。此方法可包括：在半导体衬底上设置第一及第二层，而该第一层的厚度大于该第二层的厚度；形成邻接该第一层的侧面且位于该第二层的上表面的一部分上之间隔件；以及去除该第二层未被该间隔件覆盖的暴露部分。藉由去除该第二层的暴露部分同时留下该第二层由该间隔件保护的一部分，该方法可以从该半导体衬底上之该第二层的留存部分制造出次微影电荷储存组件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 内存 器件 自行 对准 储存 元件 | ||
【主权项】：
一种形成用于半导体结构(100)的次微影电荷储存元件的方法，包括：在半导体衬底(106)上设置第一层(102)和第二层(104)，该第一层(102)的高度大于该第二层(104)的高度，该第一层(102)邻接该第二层(104)，该第二层包括电荷俘获材料；形成间隔件(202)，该间隔件(202)邻接该第一层(102)的侧面(108)并且在该第二层(104)的上表面的一部分上；以及去除该第二层(104)未被该间隔件(202)覆盖的暴露部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯班逊有限公司，未经斯班逊有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880023742.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池包
- 下一篇：一种可充电电池的顶盖及其包装壳
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
