[发明专利]电子装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880022320.X | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101689604A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 戴维·蒂奥·卡斯特罗;阿尔穆德纳·韦尔塔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种电子装置(100)，该电子装置(100)包括：基片(101)；可转换结构(102)，其布置在基片(101)上和/或基片中，所述可转换结构可以通过加热在至少两个状态之间进行转换，并且在所述至少两个状态的不同状态下具有不同的电特性，其中所述可转换结构(102)包括具有第一宽度(w1)的第一部分和具有第二宽度(w2)的第二部分，其中第二宽度(w2)小于第一宽度(w1)；以及突出部(108)，所述突出部穿过可转换结构(102)，使得可转换结构(102)的第二部分从第一宽度(w1)变窄成第二宽度(w2)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置(100)，其包括：基片(101)；可转换结构(102)，其布置在基片(101)上和/或基片(101)中，所述可转换结构(102)可以通过加热在至少两个状态之间进行转换，并且在所述至少两个状态的不同状态下具有不同的电特性，其中所述可转换结构(102)包括具有第一宽度(w1)的第一部分和具有第二宽度(w2)的第二部分，其中第二宽度(w2)小于第一宽度(w1)；突出部(108)，所述突出部(108)穿过所述可转换结构(102)，使得所述可转换结构(102)的第二部分从第一宽度(w1)变窄成第二宽度(w2)。
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