[发明专利]具有强化电荷中和的等离子处理以及处理控制有效

专利信息
申请号: 200880022236.8 申请日: 2008-06-12
公开(公告)号: CN101689498A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 维克拉姆·辛;提摩太·J·米勒;伯纳德·G·琳赛 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 臧建明
地址: 美国麻*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种等离子处理装置,包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源,此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源,至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源,产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
搜索关键词: 具有 强化 电荷 中和 等离子 处理 以及 控制
【主权项】:
1、一种等离子处理装置,包括:a.平台,支撑等离子处理的基底;b.射频电源,在输出端产生多重位准射频功率波形,所述多重位准射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期;c.射频等离子源,具有电性连接至所述射频电源的所述输出端的电性输入端,所述射频等离子源至少在所述第一周期期间产生具有所述第一射频功率位准的第一射频等离子且在所述第二周期期间产生具有所述第二射频功率位准的第二射频等离子;以及d.偏压电源,具有电性连接至所述平台的输出端,所述偏压电源产生足以吸引所述等离子的离子至所述等离子处理的基底的偏压波形。
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