[发明专利]具有强化电荷中和的等离子处理以及处理控制有效
| 申请号: | 200880022236.8 | 申请日: | 2008-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN101689498A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 维克拉姆·辛;提摩太·J·米勒;伯纳德·G·琳赛 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种等离子处理装置,包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源,此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源,至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源,产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 强化 电荷 中和 等离子 处理 以及 控制 | ||
【主权项】:
1、一种等离子处理装置,包括:a.平台,支撑等离子处理的基底;b.射频电源,在输出端产生多重位准射频功率波形,所述多重位准射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期;c.射频等离子源,具有电性连接至所述射频电源的所述输出端的电性输入端,所述射频等离子源至少在所述第一周期期间产生具有所述第一射频功率位准的第一射频等离子且在所述第二周期期间产生具有所述第二射频功率位准的第二射频等离子;以及d.偏压电源,具有电性连接至所述平台的输出端,所述偏压电源产生足以吸引所述等离子的离子至所述等离子处理的基底的偏压波形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





