[发明专利]半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器

摘要

本发明涉及SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εr_APP，且绝缘性也优越的SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。

主权项

1.一种半导体陶瓷粉末，其为SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末，其特征在于，施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。