[发明专利]用于反向写入3D单元的高正向电流二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200880021393.7 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101720485A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | S·B·赫纳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/56;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器装置，其包括：至少一个存储器单元，所述至少一个存储器单元包括二极管和金属氧化物反熔丝介电层；以及电接触所述至少一个存储器单元的第一电极和第二电极。在使用中，所述二极管通过响应于所施加的偏置从第一电阻率状态切换到第二电阻率状态而用作所述存储器单元的读/写元件，所述第二电阻率状态与所述第一电阻率状态不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 反向 写入 单元 正向 电流 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，其包括：包括二极管和金属氧化物反熔丝介电层的至少一个存储器单元；以及电接触所述至少一个存储器单元的第一电极和第二电极；其中，在使用中，所述二极管通过响应于所施加的偏置从第一电阻率状态切换到第二电阻率状态而用作所述存储器单元的读/写元件，所述第二电阻率状态与所述第一电阻率状态不同。
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