[发明专利]具有用于化学镀镍沉积的种子层的底部凸块金属化结构无效
| 申请号： | 200880020888.8 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101689515A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·施特罗特曼 | 申请（专利权）人： | 弗利普芯片国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种具有用于化学镀镍沉积的种子层的底部凸块金属化(UBM)结构和方法，其涉及UBM结构，该结构包括半导体基板，至少一个最后金属层、钝化层、金属种子层以及金属化层。该至少一个最后金属层形成在半导体基板的至少一部分上。而且，钝化层形成在半导体基板的至少一部分上。另外，钝化层包括多个开口。另外，钝化层由非导电材料形成。该至少一个最后金属层通过多个开口暴露。金属种子层形成在钝化层上并覆盖多个开口。金属化层形成在金属种子层上。金属化层由化学镀沉积形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 化学 沉积 种子 底部 金属化 结构 | ||
【主权项】：
1.底部凸块金属化(UBM)结构，包括：半导体基板，具有形成在其上的钝化层以及多个通过所述钝化层中的开口暴露的最后金属层；金属种子层，形成在暴露所述最后金属层的每个所述钝化开口上并延伸超出每个所述钝化开口；所述金属种子层形成在用于电子器件的终钝化层中的非导电材料上，诸如氮化物、氧化物或各种聚合物；金属化层，由位于所述金属种子层上的化学镀沉积形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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