[发明专利]糊组合物及太阳能电池元件无效
| 申请号: | 200880019372.1 | 申请日: | 2008-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN101681942A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 赖高潮;越智裕;宫泽吉辉;和辻隆;加藤晴三 | 申请(专利权)人: | 东洋铝株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01B1/22 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种糊组合物和具有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件,所述糊组合物无论是用于在厚的硅半导体衬底上形成厚的背面电极层时或是在薄的硅半导体衬底上形成薄的背面电极层时均能够充分实现至少与现有水平同等以上的BSF效应,并且用于在薄的硅半导体衬底上形成薄的背面电极层时,能够在实现与现有水平同等以上的BSF效应的同时抑制煅烧后硅半导体衬底的变形。所述糊组合物含有铝粉末作为导电性粉末,并且,作为不可避免的杂质元素而含有的铁和钛的合计含量为0.07质量%以下。所述太阳能电池元件具有通过将上述糊组合物涂布在硅半导体衬底(1)的背面上后进行煅烧而形成的背面电极(8)。 | ||
| 搜索关键词: | 组合 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】:
1.一种糊组合物,用于在构成晶体硅太阳能电池的硅半导体衬底(1)的背面上形成电极(8),并含有铝粉末作为导电性粉末,其中,作为不可避免的杂质元素而含有的铁和钛的合计含量为0.07质量%以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





