[发明专利]电子零部件装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种电子零部件装置及其制造方法，力图在使用例如以Sn为主要成分的低熔点金属作为接合材料、来将由例如以Cu为主要成分的高熔点金属构成的导体膜的彼此之间进行接合时，能缩短接合所需要的时间。在配置了由例如以Sn为主要成分的低熔点金属所构成的低熔点金属层(16及18)的状态下，使其沿着厚度方向夹着与构成要接合的第一及第二导体膜(13及14)的高熔点金属是相同种类的、由例如以Cu为主要成分的高熔点金属所构成的高熔点金属层(17)，实施加热接合工序。因为要生成高熔点金属和低熔点金属的金属间化合物，能缩短要使高熔点金属分别扩散到低熔点金属层(16及18)中的距离，因此能缩短扩散所需要的时间，所以，能缩短接合所需要的时间。

主权项

1.一种电子零部件装置的制造方法，包括：准备工序，所述准备工序分别准备形成了由第一高熔点金属所构成的第一导体膜的第一构件和形成了由第二高熔点金属所构成的第二导体膜的第二构件；低熔点金属层形成工序，所述低熔点金属层形成工序将由比所述第一及第二高熔点金属的熔点要低的低熔点金属所构成的低熔点金属层在所述第一及第二导体膜的至少一方上形成；以及加热接合工序，所述加热接合工序通过使所述第一导体膜和所述第二导体膜处于夹着所述低熔点金属层而相互相对的状态，并同时以所述第一及第二高熔点金属的熔点和所述低熔点金属的熔点之间的温度进行加热，来生成所述第一及第二高熔点金属和所述低熔点金属的金属间化合物，从而形成将所述第一导体膜和所述第二导体膜相互接合的接合部；该制造方法的特征在于，还进一步包括高熔点金属层形成工序，所述高熔点金属层形成工序形成由与所述第一及第二高熔点金属中的任一种相同的高熔点金属所构成的高熔点金属层，以连接所述低熔点金属层，所述低熔点金属层形成工序包含在所述加热接合工序中形成所述低熔点金属层的工序，形成利用所述低熔点金属层沿着厚度方向夹着所述高熔点金属层的状态，在所述高熔点金属层形成工序中形成的所述高熔点金属层所具有的厚度，能提供比用于生成所述金属间化合物所消耗的量更多的量，实施所述加热接合工序，使得在所述接合部中残留所述高熔点金属层的一部分并同时生成所述金属间化合物。