[发明专利]三维NAND存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200880017752.1 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101681884A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | N·摩克里斯;R·朔伊尔莱茵 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/336;H01L29/792;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种单片的三维NAND(与非)单列，所述单片的三维NAND单列包括位于第二存储单元上的第一存储单元。第一存储单元的半导体有源区是第一柱，当俯视时，所述第一柱具有正方形或长方形截面，该第一柱是位于第二导电类型半导体区之间的第一导电类型半导体区。第二存储单元的半导体有源区是第二柱，当俯视时，所述第二柱具有正方形或长方形截面，该第二柱位于第一柱的下方并且是位于第二导电类型半导体区之间的第一导电类型半导体区。在第一柱内的一个第二导电类型半导体区与在第二柱内的一个第二导电类型半导体区相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nand 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片的三维NAND单列，包括位于第二存储单元上的第一存储单元，其中：所述第一存储单元的半导体有源区包括第一柱，当俯视时，所述第一柱具有正方形或长方形横截面，所述第一柱包括位于第二导电类型半导体区之间的第一导电类型半导体区；所述第二存储单元的半导体有源区包括第二柱，当俯视时，所述第二柱具有正方形或长方形横截面，所述第二柱位于所述第一柱的下方并且包括位于第二导电类型半导体区之间的第一导电类型半导体区；并且在所述第一柱内的一个第二导电类型半导体区与在所述第二柱内的一个第二导电类型半导体区相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
