[发明专利]去除抗蚀剂的方法和装置有效
| 申请号： | 200880017047.1 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101715601A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 三浦敏德 | 申请（专利权）人： | 株式会社明电舍 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 柳冀 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 抗蚀剂去除设备1在防止爆裂现象发生的同时去除基板上的抗蚀剂，同时降低抗蚀剂去除时的能源成本并使装置构造简化。该抗蚀剂去除设备1配备有用来容纳基板16(例如具有高剂量离子注入抗蚀剂的基板)的腔体2，在低于大气压的压力下，将臭氧气体、不饱和烃气体和水蒸汽供应给该腔体2。上述臭氧气体可以是由含有臭氧的气体借助蒸汽压力差仅使臭氧发生液化分离然后再气化而得到的超高浓度臭氧气体。为了清洗经上述处理的基板16，可以供给超纯水。腔体2配备有用于支持基板16的基座15。基座15被加热到100℃以下的温度。加热上述基座的装置例如可以是发射红外线的光源4。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 抗蚀剂 方法 装置 | ||
【主权项】：
去除基板上的抗蚀剂的方法，其特征在于，在低于大气压的压力下，将臭氧气体、不饱和烃和水蒸汽供应到基板上以从基板上去除抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
