[发明专利]具有渐变层的非易失性磁存储元件有效
| 申请号： | 200880011839.8 | 申请日： | 2008-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101730913A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | R·Y·兰简;P·克什特波德;R·K·马尔姆霍尔 | 申请（专利权）人： | 亚达夫科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B00/39 | 分类号： | G11B00/39 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雪梅;李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例包括具有多层的非易失性磁存储元件，所述多层中的任一层是渐变的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 渐变 非易失性磁 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种非易失性磁存储元件，包括：底部电极；所述底部电极顶部上形成的晶种层；所述晶种层顶部上形成的反铁磁钉扎层；在所述钉扎层顶部上形成的固定层；在所述固定层顶部上形成的隧道层；在所述隧道层顶部上形成的渐变自由层；在所述渐变自由层顶部上形成的帽层；以及在所述帽层顶部上形成的顶部电极，其中通过所述底部电极施加电流以翻转所述存储元件的磁化状态。
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