[发明专利]存储器单元、存储器阵列和对存储器单元进行编程的方法有效
| 申请号： | 200880011450.3 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101652816A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 纳德尔·阿基勒;米希尔·范杜雷恩 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种对存储器单元(100)进行编程的方法，该方法包括向存储器单元(100)的第一电端子(101)施加第一电势，来对第一导电类型的第一电荷载流子进行加速，从而通过所加速的第一电荷载流子的碰撞电离产生第二导电类型的第二电荷载流子，以及向存储器单元(100)的第二电端子(102)施加第二电势，来对第二电荷载流子进行加速，从而将第二电荷载流子注入所述存储器单元(100)的电荷捕陷结构(103)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对存储器单元(100)进行编程的方法，所述方法包括：向存储器单元(100)的第一电端子(101)施加第一电势，来对第一导电类型的第一电荷载流子进行加速，从而通过加速的第一电荷载流子的碰撞电离产生第二导电类型的第二电荷载流子；向存储器单元(100)的第二电端子(102)施加第二电势，来对第二电荷载流子进行加速，从而将第二电荷载流子注入所述存储器单元(100)的电荷捕陷结构(103)。
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