[发明专利]通过牺牲层中的界面修改来消除释放蚀刻侵蚀无效
| 申请号： | 200880010748.2 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101652317A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 涂桑佳;罗棋;杨家伟;戴维·希尔德;叶夫根尼·古塞夫;姜志伟 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述制造微机电系统(MEMS)装置的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 牺牲 中的 界面 修改 消除 释放 蚀刻 侵蚀 | ||
【主权项】：
1.一种制造微机电系统(MEMS)装置的方法，其包含：在衬底上形成牺牲层；处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。
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